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导读：很多朋友不知道功率放大器放大电路的回顾与展望，如何选择功率放大器。射频易商城RFeasy.cn为你解答功率放大器放大电路的回顾与展望。

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功率放大器放大电路的回顾与展望

随着晶体管制造技术的不断提高和新技术的应用， 各项实用性指标和可靠性指标都有很大改善， 并不断在向更大的输出功率， 更小的体积， 更轻的重量， 更多的功能和智能化方向发展， 如美国 ＣＲＯＷＮ公司的 ＭＡ－５０００ＶＺＡ功放， 其输出功率可达 ４０００Ｗ／８Ω（桥接， 单通道）； 完善的可靠性设计使它在苛刻的环境中可连续工作， 使得生产者可作 ３ 年免维护的保证； 插入可编程的输入处理模块 ＵＳＰ３； 可对１￣２０００台功放的工作状态进行程控调节和各种参数检测。 各种完善的可靠性保护措施， 使它的可靠性大大提高， 可与电子管功放媲美。 晶体管功放具有许多宝贵优点， 它的失真低于万分之一， 但其音质听感总不如电子管功放那么逼真， 细腻， 尤其是在表现瞬态变化快而清脆的打击乐， 弦乐和浑厚回荡的钢琴曲方面感觉最明显。 ２０世纪 ８０年代初， 欧洲有些专业公司开始研究晶体管功放与电子管功放之间的性能差异及解决办法。 电子管是一种电压控制器件， 需要的控制功率极微， 开关速率很快。 晶体管是一种电流控制器件， 需有较大的控制电流， 转换速率较慢， 这是最基本的差别。 ８０年代中期欧洲首先推出了采用ＭＯＳＦＥＴ音频场效应管功放。 ＭＯＳＦＥＴ场效应晶体管既具有晶体管的基本优点。 但使用不久发现这种功放的可靠性不高（无法外电路保护）， 开关速度提高得不多和输出功率仅为 １５０Ｗ／８Ω 等。 ９０年代初， ＭＯＳＦＥＴ的制造技术有了很大突破， 出现了一种高速 ＭＯＳＦＥＴ大功率开关场效应晶体管。 西班牙艺格公司（ＥＣＬＥＲ） 经多年研究， 攻克了非破坏性保护系统的 ＳＰＭ专利技术， 推出了集电子管功放和晶体管功放两者优点结合的第 ３代功放产品， 在欧洲市场上获得了认可， 并逐步在世界上得到了应用。 第 ３代 ＭＯＳＦＥＴ功放的中频和高频音质接近电子管功放， 但低频的柔和度比晶体管功放差一些， 此外 ＭＯＳＦＥＴ开关场效应管容易被输出和输入过载损坏。 数字功放的概念早在 ２０世纪 ６０年代就有人提出了，由于当时技术条件的限制，进展一直较慢。 １９８３年， Ｍ．Ｂ．Ｓａｎｄｌｅｒ等学者提出了 Ｄ类放大的 ＰＣＭ（脉码调制）数字功放的基本结构。 主要技术要点是如何把 ＰＣＭ信号变成 ＰＷＭ（脉冲调宽信号）。美国 Ｔｒｉｐａｓｓ 公司设计了改进的 Ｄ类数字功放， 取名为“Ｔ”类功 １９９９ 年意大利ＰＯＷＥＲＳＯＦＴ公司推出了数字功放的商业产品， 从此， 第 ４代音频功率放大器， 数字功放进入了工程应用， 并获得了世界同行的认可， 市场日益扩大， 最终将替代各类模拟功放。

推荐产品一、丽芯微电 2 to 6GHz, LXA2003 GaN 功率放大器

工作频率范围：2~6GHz
输出功率：dBm
增益：23dB
输入驻波：
电源：28V/1200mA

推荐产品二、丽芯微电 25 to 27GHz, LXA2008 GaAs 功率放大器

工作频率范围：25~27GHz
输出功率：18.5dBm
增益：21dB
输入驻波：
电源：4V/70mA

推荐产品三、丽芯微电 3.4 to 8.5GHz, LXA2009 GaAs 功率放大器

工作频率范围：3.4~8.5GHz
输出功率：26dBm
增益：28dB
输入驻波：
电源：6V/320mA

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